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Parte dei progressi tecnologici in ambito informatico deriva direttamente dai processi produttivi: la possibilità di miniaturizzare sempre più la struttura dei componenti permette di migliorare e soprattutto andare a ridurre i costi di produzione.
L'annuncio diramato oggi da Micron e Intel va proprio in questa direzione: le due note aziende nord-americane comunicano infatti il raggiungimento del processo produttivo a 20 nanometri per le memorie NAND Flash. Si tratta della prima volta sul mercato che un simile processo viene impiegato per le memorie.
I 20 nanometri saranno impiegati per produrre chip di memoria NAND flash di tipo MLC da 8GB, che misureranno solamente 118mm2. La possibilità di sviluppare chip di questo tipo consentirà di fornire a dispositivi di storage (SSD, media player portatili e smartphone) moduli di elevata capacità senza dover scendere a compromessi con lo spazio a disposizione.
La crescita del segmento mobile ed handheld del mercato ha portato, nel corso degli ultimi anni, ad un diretto aumento della domanda di memoria NAND flash.
I nuovi moduli da 8GB prodotti a 20 nanometri misurano solamente 118mm2 e consentono di garantire una riduzione dello spazio sul PCB compreso tra il 30 e il 40% (a seconda del package) se paragonate alle attuali soluzioni a 25 nanometri. La riduzione dello spazio occupato rappresenta un elemento di fondamentale importanza per i produttori che possono così andare a modificare i design, collocando un maggior numero di componenti e funzioni.
Prodotte da IM Flash Technologies (IMFT), la joint venture di Intel e Micron, i nuovi chip da 8GB prodotti a 20 nanometri rappresentano un importante paso in avanti per la tecnologia flash.
Lo shrink e il passaggio di processo produttivo a 20 nanometri, infatti, rappresenta la soluzione migliore per ridurre i costi di produzione: è possibile infatti incrementare del 50% la capacità in GB complessiva prodotta da una fabbrica rispetto alla tecnologia attualmente impiegata. Rispetto al processo a 25 nanometri non ci sono differenze prestazionali o di durata nel tempo.
I primi moduli a 20 nanometri sono stati distribuiti ai partner in questi giorni, mentre la produzione su larga scala comincerà solo nela seconda metà del 2011. Intel e Micron prevedono inoltre di riuscire a sviluppare chip con capacità di 16GB: in questo modo sarebbe possibile avere un dispositivo con capacità di 128GB ma più piccolo di un francobollo.SPOILER (click to view)
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Micron ed Intel uniti per i 20 nanometri |
